【编者按】据路透社报道，《韩国经济新闻》称，三星电子计划明年底前投资25万亿韩元(约合213亿美元)提高3D NAND闪存芯片产量。

　　据路透社报道，《韩国经济新闻》称，三星电子计划明年底前投资25万亿韩元(约合213亿美元)提高3D NAND闪存芯片产量。对此三星电子予以否认。

　　全球最大的内存芯片公司三星电子在提交的监管文件中称，媒体对其芯片投资计划的报道是不准确的，还未决定具体的投资计划。

　　《韩国经济新闻》报道，三星电子的计划是为了垄断内存芯片市场，让东芝、美光科技、英特尔和中国的XMC等无法追赶。原先三星在DRAM内存市场也采取同样的方法巩固地位，结束了30年的“斗鸡比赛”。

　　6月14日业内消息称，三星电子计划在韩国华城工厂第17号生产线上建设一条3D NAND闪存生产线，此前还宣布将第16号生产线改造为3D NAND生产线。到今年底，该公司的生产能力可达到10万块晶圆片/月。

　　另外，三星电子已经决定在年底前将完工的韩国平泽工厂生产3D NAND闪存(第一阶段产量可达10万块晶圆片/月)。三星电子还将扩建中国西安工厂，使每月产量达到4万块晶圆片。